Чтобы достичь высокого качества процессов изготовления схем микросхем с шириной линии от 0,13 мкм до 28 нм для полировки кремниевых пластин диаметром 300 мм, важно свести к минимуму загрязнение поверхности пластины примесями, такими как ионы металлов.
Читать далееВ то время как мир ищет новые возможности в области полупроводников, нитрид галлия (GaN) продолжает выделяться как потенциальный кандидат для будущих энергетических и радиочастотных применений. Однако, несмотря на многочисленные преимущества, GaN сталкивается с серьезной проблемой: отсутствием проду......
Читать далееПолировка поверхности кремниевых пластин — важнейший процесс в производстве полупроводников. Его основной целью является достижение чрезвычайно высоких стандартов плоскостности и шероховатости поверхности путем удаления микродефектов, слоев повреждений под напряжением и загрязнений такими примесями,......
Читать далееОсновная кристаллическая ячейка монокристаллического кремния представляет собой структуру цинковой обманки, в которой каждый атом кремния химически связан с четырьмя соседними атомами кремния. Эта структура также встречается в монокристаллических углеродных алмазах.
Читать далее