Часть ЛПЭ

Детали Semicorex LPE — это высокопроизводительные компоненты с покрытием SiC, специально разработанные для использования в процессе эпитаксии SiC. Эти компоненты разработаны так, чтобы выдерживать сложные условия роста кристаллов SiC, обеспечивая превосходную термическую стабильность, химическую стойкость и механическую прочность. Выбирая детали LPE Semicorex, вам гарантируется исключительная долговечность, точность и индивидуальное решение для ваших потребностей в процессе эпитаксии карбида кремния.

Детали Semicorex LPE изготавливаются с использованием современных материалов и точных технологий производства, что обеспечивает стабильность и надежность каждого узла. К физико-химическим свойствам покрытия предъявляются строгие требования по устойчивости к высоким температурам и коррозии, что напрямую влияет на выход продукции и срок службы изделия. Материал SiC обладает высокой прочностью, высокой твердостью, низким коэффициентом теплового расширения и хорошей теплопроводностью. Это важный высокотемпературный конструкционный материал и высокотемпературный полупроводниковый материал. Применяется для графитовых оснований. Его преимущества:

1) Карбид кремния устойчив к коррозии и может полностью покрывать графитовую основу, а также имеет хорошую плотность, что позволяет избежать повреждения агрессивными газами. 2) Карбид кремния обладает высокой теплопроводностью и высокой прочностью сцепления с графитовой основой, что гарантирует, что покрытие будет нелегко отвалиться после многократного воздействия высоких и низких температур. 3) Карбид кремния обладает хорошей химической стабильностью, что позволяет избежать разрушения покрытия в высокотемпературной и агрессивной атмосфере. Кроме того, для эпитаксиальных печей из разных материалов требуются графитовые лотки с разными эксплуатационными показателями. Согласование коэффициента термического расширения графитовых материалов требует адаптации к температуре выращивания эпитаксиальной печи. Например, температура эпитаксии карбида кремния высока, и требуется лоток с высоким коэффициентом теплового расширения. Коэффициент теплового расширения SiC очень близок к коэффициенту теплового расширения графита, что делает его предпочтительным материалом для поверхностного покрытия графитовой основы.

Применение в процессе эпитаксии SiC

Процесс эпитаксии SiC является важным этапом в производстве высококачественных пластин SiC, используемых для полупроводниковых приборов, включая силовую электронику и оптоэлектронику. Детали LPE, особенно с покрытием SiC, играют важную роль в точном контроле температуры и химических реакций внутри реактора. Эти компоненты стратегически размещены в реакторе, чтобы обеспечить оптимальный рост пластин, сохраняя при этом чистоту и однородность кристаллов SiC.

В Semicorex мы понимаем, что к каждому процессу эпитаксии SiC предъявляются уникальные требования. Вот почему наши детали LPE могут быть полностью адаптированы к конкретным потребностям вашего предприятия. Будь то размер, форма или толщина покрытия, наша команда инженеров тесно сотрудничает с клиентами, чтобы поставлять компоненты, которые оптимизируют их производственные процессы.

Высококачественное покрытие SiC, нанесенное на наши детали, также обеспечивает превосходную долговечность. В отличие от обычных материалов, SiC обеспечивает более длительный срок службы в суровых условиях эксплуатации, сокращая частоту технического обслуживания и время простоев. Такое долговечность приводит к снижению эксплуатационных расходов и повышению эффективности производителей полупроводников.

Детали Semicorex LPE спроектированы с высокой точностью и разработаны с учетом строгих требований процесса эпитаксии SiC. Наши компоненты производятся с использованием новейших технологий, гарантирующих непревзойденную производительность и долговечность. Выбирая Semicorex, вы выбираете партнера, который понимает сложности производства полупроводников и стремится поставлять надежную и высококачественную продукцию, расширяющую ваши производственные возможности.

Детали Semicorex LPE с ихSiC-покрытие, являются идеальным выбором для повышения производительности и долговечности реакторов эпитаксии SiC. Эти компоненты обеспечивают превосходную термическую стабильность, химическую стойкость и механическую прочность, гарантируя плавность и эффективность процесса выращивания кристаллов SiC. Имея возможности индивидуальной настройки, Semicorex предлагает индивидуальное решение, отвечающее вашим конкретным технологическим требованиям, что делает нас надежным партнером для производителей полупроводников по всему миру.