Дом > Продукты > Карбид кремния с покрытием > Ствольный ресивер > Бочковой токоприемник с покрытием SiC в полупроводнике
Продукты
Бочковой токоприемник с покрытием SiC в полупроводнике

Бочковой токоприемник с покрытием SiC в полупроводнике

Если вы ищете высококачественный графитовый токоприемник, покрытый карбидом кремния высокой чистоты, то цилиндрический токоприемник Semicorex с покрытием SiC в полупроводнике станет идеальным выбором. Его исключительная теплопроводность и свойства распределения тепла делают его идеальным для использования в производстве полупроводников.

Отправить запрос

Описание продукта

Баррель Susceptor Semicorex с покрытием SiC в полупроводнике представляет собой графитовый продукт премиум-класса, покрытый карбидом кремния высокой чистоты, что делает его идеальным выбором для использования в высокотемпературных и агрессивных средах. Его превосходная плотность и теплопроводность обеспечивают исключительное распределение тепла и защиту при производстве полупроводников.
В Semicorex мы уделяем особое внимание предоставлению нашим клиентам высококачественной и экономически эффективной продукции. Наш бочковый токоприемник с полупроводниковым покрытием SiC имеет ценовое преимущество и экспортируется на многие европейские и американские рынки. Мы стремимся стать вашим долгосрочным партнером, поставляя продукцию стабильного качества и обеспечивая исключительное обслуживание клиентов.


Параметры бочкообразного токоприемника с покрытием SiC в полупроводнике

Основные характеристики покрытия CVD-SIC

Свойства SiC-CVD

Кристаллическая структура

FCC β-фаза

Плотность

г/см³

3.21

Твердость

Твердость по Виккерсу

2500

Размер зерна

мкм

2~10

Химическая чистота

%

99.99995

Теплоемкость

Дж кг-1 К-1

640

Температура сублимации

2700

Фелексуральная сила

МПа (RT 4-точечный)

415

Модуль Юнга

Gpa (изгиб 4 пт, 1300 ℃)

430

Тепловое расширение (CTE)

10-6К-1

4.5

Теплопроводность

(Вт/мК)

300


Особенности бочкообразного токоприемника с покрытием SiC в полупроводнике

- И графитовая подложка, и слой карбида кремния имеют хорошую плотность и могут играть хорошую защитную роль в условиях высоких температур и агрессивных рабочих сред.

- Токоприемник с покрытием из карбида кремния, используемый для выращивания монокристаллов, имеет очень высокую плоскостность поверхности.

- Уменьшите разницу в коэффициенте теплового расширения между графитовой подложкой и слоем карбида кремния, эффективно улучшите прочность соединения, чтобы предотвратить растрескивание и расслоение.

- И графитовая подложка, и слой карбида кремния обладают высокой теплопроводностью и отличными свойствами распределения тепла.

- Высокая температура плавления, стойкость к высокотемпературному окислению, коррозионная стойкость.




Горячие Теги: Стволовый токоприемник с покрытием SiC в полупроводниках, Китай, производители, поставщики, фабрика, индивидуальные, массовые, усовершенствованные, долговечные
Связанная категория
Отправить запрос
Пожалуйста, не стесняйтесь дать свой запрос в форме ниже. Мы ответим вам в течение 24 часов.
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept