Система эпитаксии ствола с индуктивным нагревом для эпитаксии ЖФЭ

Если вам нужен графитовый токоприемник с исключительной теплопроводностью и свойствами распределения тепла, обратите внимание на эпитаксиальную систему цилиндра с индуктивным нагревом Semicorex для эпитаксии LPE. Его покрытие SiC высокой чистоты обеспечивает превосходную защиту в высокотемпературных и агрессивных средах, что делает его идеальным выбором для использования в производстве полупроводников.

Отправить запрос

Описание продукта

Система эпитаксии цилиндра Semicorex с индуктивным нагревом для эпитаксии LPE — идеальный выбор для производства полупроводников, требующих исключительного распределения тепла и теплопроводности. Покрытие SiC высокой чистоты и превосходная плотность обеспечивают превосходные свойства защиты и распределения тепла, обеспечивая надежную и стабильную работу даже в самых сложных условиях.

В Semicorex мы сосредоточены на предоставлении высококачественной и экономически эффективной продукции для наших клиентов. Наша система эпитаксии ствола с индуктивным нагревом для эпитаксии LPE имеет ценовое преимущество и экспортируется на многие европейские и американские рынки. Мы стремимся быть вашим долгосрочным партнером, поставляя неизменно качественную продукцию и исключительное обслуживание клиентов.

Параметры эпитаксиальной системы ствола с индуктивным нагревом для эпитаксии ЖФЭ

Основные характеристики покрытия CVD-SIC
SiC-ХОПФ свойства
Кристальная структура	Фаза FCC Î²
Плотность	г/см³	3.21
твердость	твердость по Виккерсу	2500
Размер зерна	Î¼ м	2~10
Химическая чистота	%	99.99995
Теплоемкость	Дж·кг-1 ·К-1	640
Температура сублимации	℃	2700
Фелексурная сила	МПа (4-балльная КТ)	415
Модуль Юнга	ГПа (изгиб 4pt, 1300°C)	430
Тепловое расширение (КТР)	10-6К-1	4.5
Теплопроводность	(Вт/мК)	300

Особенности эпитаксиальной системы ствола с индуктивным нагревом для эпитаксии ЖФЭ

- Как графитовая подложка, так и слой карбида кремния имеют хорошую плотность и могут играть хорошую защитную роль в условиях высоких температур и агрессивных рабочих сред.

- Токоприемник с покрытием из карбида кремния, используемый для выращивания монокристаллов, имеет очень высокую плоскостность поверхности.

- Уменьшите разницу в коэффициенте теплового расширения между графитовой подложкой и слоем карбида кремния, эффективно улучшите прочность сцепления, чтобы предотвратить растрескивание и расслоение.

- Как графитовая подложка, так и слой карбида кремния обладают высокой теплопроводностью и отличными свойствами распределения тепла.

- Высокая температура плавления, стойкость к высокотемпературному окислению, коррозионная стойкость.

Горячие Теги: Эписистема ствола с индуктивным нагревом для эпитаксии LPE, Китай, Производители, Поставщики, Фабрика, Индивидуальные, Массовые, Усовершенствованные, Прочные