Эписистема ствола с индуктивным нагревом

Если вам нужен графитовый токоприемник с исключительной теплопроводностью и свойствами распределения тепла, обратите внимание на систему Epi с индуктивным нагревом ствола Semicorex. Его покрытие высокой чистоты SiC обеспечивает превосходную защиту в высокотемпературных и агрессивных средах, что делает его идеальным выбором для использования в производстве полупроводников.

Отправить запрос

Описание продукта

Система Semicorex с индуктивным нагревом ствола Epi — идеальный выбор для применений в производстве полупроводников, требующих исключительного распределения тепла и теплопроводности. Его покрытие SiC высокой чистоты и превосходная плотность обеспечивают превосходные свойства защиты и распределения тепла, гарантируя надежную и стабильную работу даже в самых сложных условиях.
В Semicorex мы уделяем особое внимание предоставлению нашим клиентам высококачественной и экономически эффективной продукции. Наша Epi-система с индуктивным нагревом ствола имеет ценовое преимущество и экспортируется на многие рынки Европы и Америки. Мы стремимся стать вашим долгосрочным партнером, поставляя продукцию стабильного качества и обеспечивая исключительное обслуживание клиентов.

Параметры системы эпиляции ствола с индуктивным нагревом

Основные характеристики покрытия CVD-SIC
Свойства SiC-CVD
Кристаллическая структура	FCC β-фаза
Плотность	г/см³	3.21
Твердость	Твердость по Виккерсу	2500
Размер зерна	мкм	2~10
Химическая чистота	%	99.99995
Теплоемкость	Дж кг-1 К-1	640
Температура сублимации	℃	2700
Фелексуральная сила	МПа (RT 4-точечный)	415
Модуль Юнга	Gpa (изгиб 4 пт, 1300 ℃)	430
Тепловое расширение (CTE)	10-6К-1	4.5
Теплопроводность	(Вт/мК)	300

Особенности системы Epi с индуктивным нагревом ствола

- И графитовая подложка, и слой карбида кремния имеют хорошую плотность и могут играть хорошую защитную роль в условиях высоких температур и агрессивных рабочих сред.

- Токоприемник с покрытием из карбида кремния, используемый для выращивания монокристаллов, имеет очень высокую плоскостность поверхности.

- Уменьшите разницу в коэффициенте теплового расширения между графитовой подложкой и слоем карбида кремния, эффективно улучшите прочность соединения, чтобы предотвратить растрескивание и расслоение.

- И графитовая подложка, и слой карбида кремния обладают высокой теплопроводностью и отличными свойствами распределения тепла.

- Высокая температура плавления, стойкость к высокотемпературному окислению, коррозионная стойкость.