Когда дело доходит до производства полупроводников, высокотемпературный бочкообразный токоприемник Semicorex с SiC-покрытием является лучшим выбором благодаря превосходной производительности и надежности. Его высококачественное покрытие SiC и исключительная теплопроводность делают его идеальным для использования даже в самых требовательных высокотемпературных и агрессивных средах.
Высокотемпературный цилиндрический токоприемник Semicorex с SiC-покрытием — идеальный выбор для выращивания монокристаллов и других применений в производстве полупроводников, требующих высокой термостойкости и коррозионной стойкости. Покрытие из карбида кремния обеспечивает превосходную защиту и теплораспределение, гарантируя надежную и стабильную работу даже в самых сложных условиях.
В компании Semicorex мы уделяем особое внимание предоставлению высококачественных и экономичных высокотемпературных токоприемников с карбид-углеродным покрытием, мы уделяем приоритетное внимание удовлетворению потребностей клиентов и предоставляем экономически эффективные решения. Мы надеемся стать вашим долгосрочным партнером, предоставляющим высококачественную продукцию и исключительное обслуживание клиентов.
Параметры высокотемпературного цилиндрического токоприемника с покрытием SiC
Основные характеристики покрытия CVD-SIC |
||
Свойства SiC-CVD |
||
Кристаллическая структура |
FCC β-фаза |
|
Плотность |
г/см³ |
3.21 |
Твердость |
Твердость по Виккерсу |
2500 |
Размер зерна |
мкм |
2~10 |
Химическая чистота |
% |
99.99995 |
Теплоемкость |
Дж кг-1 К-1 |
640 |
Температура сублимации |
℃ |
2700 |
Фелексуральная сила |
МПа (RT 4-точечный) |
415 |
Модуль Юнга |
Gpa (изгиб 4 пт, 1300 ℃) |
430 |
Тепловое расширение (CTE) |
10-6К-1 |
4.5 |
Теплопроводность |
(Вт/мК) |
300 |
Особенности высокотемпературного бочкообразного токоприемника с покрытием из карбида кремния
- И графитовая подложка, и слой карбида кремния имеют хорошую плотность и могут играть хорошую защитную роль в условиях высоких температур и агрессивных рабочих сред.
- Токоприемник с покрытием из карбида кремния, используемый для выращивания монокристаллов, имеет очень высокую плоскостность поверхности.
- Уменьшите разницу в коэффициенте теплового расширения между графитовой подложкой и слоем карбида кремния, эффективно улучшите прочность соединения, чтобы предотвратить растрескивание и расслоение.
- И графитовая подложка, и слой карбида кремния обладают высокой теплопроводностью и отличными свойствами распределения тепла.
- Высокая температура плавления, стойкость к высокотемпературному окислению, коррозионная стойкость.