Носитель для эпитаксии GaN

Эпитаксиальный носитель Semicorex GaN превосходно подходит для безопасной транспортировки пластин внутри печи, хотя он разработан для процессов эпитаксии пластин. Эпитаксиальный носитель GaN имеет решающее значение для получения высококачественных, воспроизводимых тонких пленок и эпитаксиальных слоев, необходимых для производства современных электронных и оптоэлектронных устройств.

Графитовая подложка носителя для эпитаксии GaN усилена современным покрытием из карбида кремния (SiC), полученным методом химического осаждения из паровой фазы (CVD). Этот слой SiC тщательно наносится методом химического осаждения из паровой фазы, обеспечивая надежную защиту от химических реакций и износа в процессе эпитаксии. Кроме того, карбидно-кремниевое покрытие носителя для эпитаксии GaN улучшает термические свойства носителя, способствуя эффективному и равномерному нагреву пластин. Такой равномерный нагрев жизненно важен для получения однородных и высококачественных эпитаксиальных слоев на полупроводниковых пластинах.

Эпитаксиальный носитель Semicorex GaN, настраиваемый для использования с полупроводниковыми пластинами различных размеров, представляет собой универсальное решение для разнообразных производственных нужд. Независимо от того, требуются ли конкретные размеры, формы или толщина покрытия, наша команда сотрудничает с клиентами, чтобы разработать решение, которое точно соответствует их спецификациям и оптимизирует производительность для их уникальных применений.