Эпи-SiC-рецептор

Semicorex Epi-SiC Susceptor представляет собой сочетание стойкости к высоким температурам, химической инертности и превосходной термодиффузии. Он является образцом устойчивости и эффективности в интенсивных условиях, синонимом усилий по эпитаксиальному выращиванию. Применение покрытия SiC значительно улучшает тепловые характеристики Epi-SiC Susceptor. Это усовершенствование способствует равномерному распределению тепла, необходимому для нагрева пластин, что имеет решающее значение для нанесения однородных высококачественных эпитаксиальных слоев на полупроводниковые пластины.

Созданный специально для удовлетворения строгих требований процессов эпитаксиальной обработки пластин, Epi-SiC Susceptor обеспечивает бесперебойную транспортировку пластин внутри печи. Его прочная конструкция является защитой от смещения или нарушения целостности пластины, тем самым снижая вероятность повреждения на критических этапах формирования эпитаксиального слоя. Кроме того, Epi-SiC Susceptor действует как защитный барьер для находящейся под ним графитовой подложки, защищая ее от химических взаимодействий и истирания, которые могут вызвать эпитаксиальные процессы.

Слияние упругого графитового сердечника с защитным покрытием SiC не только повышает эксплуатационные показатели Epi-SiC Susceptor, но и значительно продлевает срок его службы. Результатом является инвестиция, которая приносит дивиденды в виде устойчивой операционной экономии для предприятий по производству полупроводников, что делает Epi-SiC Susceptor разумным выбором для тех, кто хочет оптимизировать свои производственные операции.