Благодаря превосходной плотности и теплопроводности цилиндрический токоприемник Semicorex Durable SiC с покрытием является идеальным выбором для использования в эпитаксиальных процессах и других приложениях в производстве полупроводников. Его покрытие высокой чистоты SiC обеспечивает превосходные свойства защиты и распределения тепла, что делает его идеальным выбором для получения надежных и стабильных результатов.
Если вам нужен высококачественный графитовый токоприемник с превосходной термо- и коррозионной стойкостью, обратите внимание на прочный бочковый токоприемник Semicorex с карбид-кремниевым покрытием. Его покрытие из карбида кремния обеспечивает исключительную теплопроводность и распределение тепла, обеспечивая надежную и стабильную работу даже в самых требовательных высокотемпературных средах.
Наш прочный бочковый токоприемник с карбид-кремниевым покрытием разработан для достижения наилучшей ламинарной схемы потока газа, обеспечивая равномерность теплового профиля. Это помогает предотвратить любые загрязнения или диффузию примесей, обеспечивая высококачественный эпитаксиальный рост на пластине.
Свяжитесь с нами сегодня, чтобы узнать больше о нашем прочном ствольном токоприемнике с SiC-покрытием.
Параметры прочного ствольного токоприемника с покрытием из карбида кремния
Основные характеристики покрытия CVD-SIC |
||
Свойства SiC-CVD |
||
Кристаллическая структура |
FCC β-фаза |
|
Плотность |
г/см³ |
3.21 |
Твердость |
Твердость по Виккерсу |
2500 |
Размер зерна |
мкм |
2~10 |
Химическая чистота |
% |
99.99995 |
Теплоемкость |
Дж кг-1 К-1 |
640 |
Температура сублимации |
℃ |
2700 |
Фелексуральная сила |
МПа (RT 4-точечный) |
415 |
Модуль Юнга |
Gpa (изгиб 4 пт, 1300 ℃) |
430 |
Тепловое расширение (CTE) |
10-6К-1 |
4.5 |
Теплопроводность |
(Вт/мК) |
300 |
Особенности прочного ствольного токоприемника с покрытием SiC
- И графитовая подложка, и слой карбида кремния имеют хорошую плотность и могут играть хорошую защитную роль в условиях высоких температур и агрессивных рабочих сред.
- Токоприемник с покрытием из карбида кремния, используемый для выращивания монокристаллов, имеет очень высокую плоскостность поверхности.
- Уменьшите разницу в коэффициенте теплового расширения между графитовой подложкой и слоем карбида кремния, эффективно улучшите прочность соединения, чтобы предотвратить растрескивание и расслоение.
- И графитовая подложка, и слой карбида кремния обладают высокой теплопроводностью и отличными свойствами распределения тепла.
- Высокая температура плавления, стойкость к высокотемпературному окислению, коррозионная стойкость.