Токоприемник ствола с CVD-покрытием SiC

Стволовый токоприемник Semicorex CVD SiC с покрытием представляет собой тщательно разработанный компонент, предназначенный для передовых процессов производства полупроводников, в частности, эпитаксии. Созданный с точностью и инновациями, этот цилиндрический токоприемник с CVD-карбид-кремниевым покрытием предназначен для облегчения эпитаксиального выращивания полупроводниковых материалов на пластинах с беспрецедентной эффективностью и надежностью.

Сердцевина цилиндрического токоприемника с покрытием CVD SiC имеет прочную графитовую структуру, известную своей исключительной теплопроводностью и механической прочностью. Эта графитовая основа служит прочной основой токоприемника, обеспечивая стабильность и долговечность в сложных условиях эпитаксиальных реакторов.

Улучшением качества графитовой подложки является современное покрытие из карбида кремния (SiC), нанесенного методом химического осаждения из паровой фазы (CVD). Это специализированное покрытие SiC тщательно наносится методом химического осаждения из паровой фазы, в результате чего образуется однородный и прочный слой, покрывающий поверхность графита. Покрытие CVD SiC цилиндрического токоприемника с покрытием CVD SiC обеспечивает множество преимуществ, критически важных для эпитаксиальных процессов.

Покрытие CVD SiC ствольного токоприемника с покрытием CVD SiC демонстрирует исключительные тепловые свойства, включая высокую теплопроводность и термическую стабильность. Эти свойства играют важную роль в обеспечении равномерного и точного нагрева полупроводниковых пластин во время эпитаксиального роста, тем самым способствуя равномерному нанесению слоев и минимизируя дефекты в конечном продукте.

Бочкообразная конструкция цилиндрического токоприемника с покрытием CVD SiC оптимизирована для эффективной загрузки и выгрузки пластин, а также оптимального распределения тепла по поверхности пластины. Эта конструктивная особенность в сочетании с превосходными характеристиками покрытия CVD SiC гарантирует беспрецедентный контроль процесса и производительность при эпитаксиальных производственных операциях.