Эпитаксиальное осаждение CVD в цилиндрическом реакторе

Наш реактор CVD для эпитаксиального осаждения в цилиндрическом корпусе — это высокопроизводительный продукт, предназначенный для обеспечения надежной работы в экстремальных условиях. Его превосходная адгезия покрытия, стойкость к высокотемпературному окислению и коррозионная стойкость делают его отличным выбором для использования в суровых условиях. Кроме того, его равномерный тепловой профиль, ламинарный характер потока газа и предотвращение загрязнения обеспечивают высокое качество эпиксиального слоя.

В Semicorex мы сосредоточены на предоставлении высококачественной и экономически эффективной продукции для наших клиентов. Наш реактор CVD для эпитаксиального осаждения в цилиндрическом корпусе имеет ценовое преимущество и экспортируется на многие европейские и американские рынки. Мы стремимся быть вашим долгосрочным партнером, поставляя неизменно качественную продукцию и исключительное обслуживание клиентов.

Параметры эпитаксиального осаждения CVD в цилиндрическом реакторе

Особенности эпитаксиального осаждения CVD в цилиндрическом реакторе

- Как графитовая подложка, так и слой карбида кремния имеют хорошую плотность и могут играть хорошую защитную роль в условиях высоких температур и агрессивных рабочих сред.

- Токоприемник с покрытием из карбида кремния, используемый для выращивания монокристаллов, имеет очень высокую плоскостность поверхности.

- Уменьшите разницу в коэффициенте теплового расширения между графитовой подложкой и слоем карбида кремния, эффективно улучшите прочность сцепления, чтобы предотвратить растрескивание и расслоение.

- Как графитовая подложка, так и слой карбида кремния обладают высокой теплопроводностью и отличными свойствами распределения тепла.

- Высокая температура плавления, стойкость к высокотемпературному окислению, коррозионная стойкость.