Реактор для эпитаксиального осаждения Semicorex CVD в цилиндрическом корпусе — это высокопрочный и надежный продукт для выращивания эпиксиальных слоев на пластинчатых чипах. Его стойкость к высокотемпературному окислению и высокая чистота делают его пригодным для использования в полупроводниковой промышленности. Его равномерный термический профиль, ламинарный характер потока газа и предотвращение загрязнения делают его идеальным выбором для высококачественного выращивания эпиксиального слоя.
Наш реактор для эпитаксиального осаждения CVD в цилиндрическом корпусе — это высокопроизводительный продукт, предназначенный для обеспечения надежной работы в экстремальных условиях. Превосходная адгезия покрытия, стойкость к высокотемпературному окислению и коррозионная стойкость делают его отличным выбором для использования в суровых условиях. Кроме того, равномерный термический профиль, ламинарный характер потока газа и предотвращение загрязнения обеспечивают высокое качество эпиксиального слоя.
В Semicorex мы уделяем особое внимание предоставлению нашим клиентам высококачественной и экономически эффективной продукции. Наш реактор для эпитаксиального осаждения CVD в бочонке имеет ценовое преимущество и экспортируется на многие европейские и американские рынки. Мы стремимся стать вашим долгосрочным партнером, поставляя продукцию стабильного качества и обеспечивая исключительное обслуживание клиентов.
Параметры эпитаксиального осаждения CVD в цилиндрическом реакторе
Основные характеристики покрытия CVD-SIC |
||
Свойства SiC-CVD |
||
Кристаллическая структура |
FCC β-фаза |
|
Плотность |
г/см³ |
3.21 |
Твердость |
Твердость по Виккерсу |
2500 |
Размер зерна |
мкм |
2~10 |
Химическая чистота |
% |
99.99995 |
Теплоемкость |
Дж кг-1 К-1 |
640 |
Температура сублимации |
℃ |
2700 |
Фелексуральная сила |
МПа (RT 4-точечный) |
415 |
Модуль Юнга |
Gpa (изгиб 4 пт, 1300 ℃) |
430 |
Тепловое расширение (CTE) |
10-6К-1 |
4.5 |
Теплопроводность |
(W/mK) |
300 |
Особенности эпитаксиального осаждения CVD в цилиндрическом реакторе
- И графитовая подложка, и слой карбида кремния имеют хорошую плотность и могут играть хорошую защитную роль в условиях высоких температур и агрессивных рабочих сред.
- Токоприемник с покрытием из карбида кремния, используемый для выращивания монокристаллов, имеет очень высокую плоскостность поверхности.
- Уменьшите разницу в коэффициенте теплового расширения между графитовой подложкой и слоем карбида кремния, эффективно улучшите прочность соединения, чтобы предотвратить растрескивание и расслоение.
- И графитовая подложка, и слой карбида кремния обладают высокой теплопроводностью и отличными свойствами распределения тепла.
- Высокая температура плавления, стойкость к высокотемпературному окислению, коррозионная стойкость.