Дом > Продукты > Карбид кремния с покрытием > Ствольный ресивер > Эпитаксиальное осаждение CVD в бочковом реакторе
Продукты
Эпитаксиальное осаждение CVD в бочковом реакторе

Эпитаксиальное осаждение CVD в бочковом реакторе

Реактор для эпитаксиального осаждения Semicorex CVD в цилиндрическом корпусе — это высокопрочный и надежный продукт для выращивания эпиксиальных слоев на пластинчатых чипах. Его стойкость к высокотемпературному окислению и высокая чистота делают его пригодным для использования в полупроводниковой промышленности. Его равномерный термический профиль, ламинарный характер потока газа и предотвращение загрязнения делают его идеальным выбором для высококачественного выращивания эпиксиального слоя.

Отправить запрос

Описание продукта

Наш реактор для эпитаксиального осаждения CVD в цилиндрическом корпусе — это высокопроизводительный продукт, предназначенный для обеспечения надежной работы в экстремальных условиях. Превосходная адгезия покрытия, стойкость к высокотемпературному окислению и коррозионная стойкость делают его отличным выбором для использования в суровых условиях. Кроме того, равномерный термический профиль, ламинарный характер потока газа и предотвращение загрязнения обеспечивают высокое качество эпиксиального слоя.

В Semicorex мы уделяем особое внимание предоставлению нашим клиентам высококачественной и экономически эффективной продукции. Наш реактор для эпитаксиального осаждения CVD в бочонке имеет ценовое преимущество и экспортируется на многие европейские и американские рынки. Мы стремимся стать вашим долгосрочным партнером, поставляя продукцию стабильного качества и обеспечивая исключительное обслуживание клиентов.


Параметры эпитаксиального осаждения CVD в цилиндрическом реакторе

Основные характеристики покрытия CVD-SIC

Свойства SiC-CVD

Кристаллическая структура

FCC β-фаза

Плотность

г/см³

3.21

Твердость

Твердость по Виккерсу

2500

Размер зерна

мкм

2~10

Химическая чистота

%

99.99995

Теплоемкость

Дж кг-1 К-1

640

Температура сублимации

2700

Фелексуральная сила

МПа (RT 4-точечный)

415

Модуль Юнга

Gpa (изгиб 4 пт, 1300 ℃)

430

Тепловое расширение (CTE)

10-6К-1

4.5

Теплопроводность

(W/mK)

300


Особенности эпитаксиального осаждения CVD в цилиндрическом реакторе

- И графитовая подложка, и слой карбида кремния имеют хорошую плотность и могут играть хорошую защитную роль в условиях высоких температур и агрессивных рабочих сред.

- Токоприемник с покрытием из карбида кремния, используемый для выращивания монокристаллов, имеет очень высокую плоскостность поверхности.

- Уменьшите разницу в коэффициенте теплового расширения между графитовой подложкой и слоем карбида кремния, эффективно улучшите прочность соединения, чтобы предотвратить растрескивание и расслоение.

- И графитовая подложка, и слой карбида кремния обладают высокой теплопроводностью и отличными свойствами распределения тепла.

- Высокая температура плавления, стойкость к высокотемпературному окислению, коррозионная стойкость.




Горячие Теги: Эпитаксиальное осаждение CVD в бочковом реакторе, Китай, Производители, Поставщики, Фабрика, Индивидуальные, Массовые, Передовые, Прочные
Связанная категория
Отправить запрос
Пожалуйста, не стесняйтесь дать свой запрос в форме ниже. Мы ответим вам в течение 24 часов.
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept