Пластина SICOI, композитная пластина из карбида кремния и изолятора, изготовленная по специальной технологии, в основном используется в фотонных интегральных схемах и микроэлектромеханических системах (МЭМС). Эта композитная структура сочетает в себе превосходные свойства карбида кремния с изоляционными характеристиками изоляторов, значительно улучшая общие характеристики полупроводниковых приборов и обеспечивая идеальные решения для высокопроизводительных электронных и оптоэлектронных устройств.
МЫвафляпредставляет собой композиционный полупроводниковый материал с трехслойной структурой, изготовленный уникальным методом.
Нижним слоем структуры пластины SICOI является кремниевая подложка, которая обеспечивает надежную механическую поддержку, обеспечивающую структурную стабильность пластины SICOI. Его оптимальная теплопроводность снижает влияние накопления тепла на работу полупроводниковых приборов, позволяя им нормально работать в течение длительного времени даже при большой мощности. Кроме того, кремниевая подложка совместима с оборудованием и машинами, используемыми в настоящее время в производстве полупроводников. Это успешно снижает производственные затраты и сложность, одновременно ускоряя исследования, разработки и массовое производство продукции.
Изолирующий оксидный слой, расположенный между кремниевой подложкой и слоем устройства SiC, является средним слоем пластины SICOI. Изолируя пути тока между верхним и нижним слоями, изолирующий оксидный слой эффективно снижает риск коротких замыканий и гарантирует стабильные электрические характеристики полупроводниковых устройств. Благодаря своей низкой характеристике поглощения он может значительно уменьшить оптическое рассеяние и повысить эффективность передачи оптического сигнала полупроводниковых устройств.
Слой устройства из карбида кремния является фундаментальным функциональным слоем структуры пластины SICOI. Он необходим для достижения высокопроизводительных электронных, фотонных и квантовых функций благодаря своей исключительной механической прочности, высокому показателю преломления, низким оптическим потерям и замечательной теплопроводности.
Применение пластин SICOI:
1.Для производства нелинейных оптических устройств, таких как гребенка оптических частот.
2.Для производства интегрированных фотонных чипов.
3.Для изготовления электрооптического модулятора
4.Для производства устройств силовой электроники, таких как выключатели питания и радиочастотные устройства.
5.Для производства датчиков MEMS, таких как акселерометр и гироскоп.