Пластина кремний-на-изоляторе, также известная как пластина кремний-на-изоляторе, представляет собой тип полупроводниковой пластины, которая широко используется в производстве передовых интегральных схем (ИС). Semicorex стремится предоставлять качественную продукцию по конкурентоспособным ценам, и мы надеемся стать вашим долгосрочным партнером в Китае.
Структура кремниевой пластины на изоляторе состоит из трех основных слоев. Верхний слой представляет собой тонкую пленку монокристаллического кремния, обычно толщиной от нескольких нанометров до нескольких микрометров. Этот тонкий слой кремния служит активной областью, в которой строятся транзисторы и другие электронные компоненты.
Под тонким слоем кремния находится слой изолирующего материала. Этот изолирующий слой действует как барьер, предотвращая поток электрических зарядов между тонким слоем кремния и слоем подложки.
Нижний слой представляет собой подложку, представляющую собой более толстый слой монокристаллического кремния. Он обеспечивает механическую поддержку пластины, а также служит радиатором для рассеивания выделяемого тепла.
Процесс производства кремниевых пластин на изоляторе включает в себя различные методы, в том числе методы склеивания пластин и переноса слоев. Эти методы позволяют создавать высококачественный тонкий слой кремния поверх изолирующего слоя.
Пластины кремния на изоляторе приобретают все большее значение в полупроводниковой промышленности, особенно в производстве микропроцессоров, запоминающих устройств, радиочастотных схем и высокоскоростных систем связи. Их уникальная структура и преимущества делают их предпочтительным выбором для передовых электронных приложений, способствуя созданию более быстрых и эффективных устройств в различных областях.