SiC ICP травильный диск

Внедрение гравировального диска Semicorex SiC ICP представляет собой стратегическую инвестицию в оптимизацию процесса, надежность и, в конечном счете, превосходную производительность полупроводниковых устройств. Преимущества ощутимы:

Повышенная точность и однородность травления:Превосходная термическая и размерная стабильность SiC ICP Etching Disk способствует более равномерной скорости травления и точному контролю функций, сводя к минимуму различия между пластинами и повышая производительность устройства.

Увеличенный срок службы диска:Исключительная твердость и устойчивость к износу и коррозии SiC ICP Etching Disk значительно увеличивают срок службы диска по сравнению с традиционными материалами, сокращая затраты на замену и время простоя.

Легкий вес для повышения производительности:Несмотря на свою исключительную прочность, гравировальный диск SiC ICP является удивительно легким материалом. Эта меньшая масса приводит к уменьшению сил инерции во время вращения, что позволяет ускорить циклы ускорения и замедления, что повышает производительность процесса и эффективность оборудования.

Увеличение пропускной способности и производительности:Легкий вес SiC ICP Etching Disk и его способность выдерживать быстрые циклические изменения температуры способствуют сокращению времени обработки и увеличению производительности, максимальному использованию оборудования и производительности.

Снижение риска загрязнения:Химическая инертность и устойчивость к плазменному травлению SiC ICP Etching Disk сводят к минимуму риск загрязнения частицами, что имеет решающее значение для поддержания чистоты чувствительных полупроводниковых процессов и обеспечения качества устройства.

Применение CVD и вакуумного напыления:Помимо травления, исключительные свойства травильного диска SiC ICP также делают его пригодным для использования в качестве подложки в процессах химического осаждения из паровой фазы (CVD) и вакуумного напыления, где важны его высокотемпературная стабильность и химическая инертность.