SIC Carrier для ICP

Инженерный для удовлетворения бескомпромиссных требований современного индуктивно -разветвленного трэя (ICP) и инструментов осаждения, полукорекс -сертификатор с графитом для ICP обеспечивает редкий баланс устойчивости плазмы, термической точности и механической стабильности. В его ядре лежит запатентованный графитный субстрат с небольшим счетом, чья ориентация кристаллов тесно контролируется для получения необычайного анизотропного поведения: плоскостная теплопроводность намного превосходит традиционные изостатические оценки, в то время как путь через плоскость остается намеренно модерированным для подавления горячих точек. Это направленное управление тепловым потоком гарантирует, что каждая матрица на пластинке от 150 до 300 мм испытывает однородную температуру и устойчивое равновесие, непосредственно переводимое в более узкие распределения критических измерений (CD) и более высокие выходы устройств.

Обернутый вокруг этого ультра -платного графита представляет собой конформный кремниевый слой, совместно размесщенный в высокотехнологичной печи. Покрытие SIC - химически инертное до 2000 ° C и может похвастаться микроэлементом менее 0,1% - составляет непроницаемый щит против фтора, хлора и радикалов брома, распространенных в химиях ICP высокой плотности. Плазмы длительной выносливости в CF₄/O₂, CL₂/Bcl₃ и HBR/HE продемонстрировали скорости эрозии ниже 0,3 мкмпер100 часов, продлив срок службы перевозчика, выходящие за рамки отраслевых норм и резко сокращая простоя профилактивного обслуживания.

Точность размеров в равной степени бескомпромислена: поверхностная плоскостность контролируется в пределах ± 5 мкм по всей карманной области, в то время как функции исключения края лазерно -махинации для защиты периметра пластины от микро -армирования. Тесная терпимость в сочетании с жесткостью на покрытии SIC, находящейся в непосредственной близости, противостоит генерации частиц при механическом зажимном и электростатическом циклическом велосипеде, защищая процессы узлов -10 нм от загрязнения дефектами убийцы. Для реакторов ICP с высокой мощностью низкое электрическое удельное сопротивление (<40 мкм · м) способствует быстрой стабилизации плоскости RF, что минимизирует флуктуации напряжения в оболочке, которые в противном случае могут разрушить профили фоторерезиста или индуцировать микромаскирный макияж.

Каждая партия полукорекс -носителей подвергается комплексной метрологии - картированию RAMAN для проверки графитового кристаллографического выравнивания, перекрестного разрешения SEM для подтверждения целостности SIC слоя и анализа остаточного газа для сертификации порогов на уровне PPM. Поскольку мы настаиваем на производстве микро -лото (менее 20 штук за пробег), статистические диаграммы управления процессами остаются исключительно ограниченными, что позволяет нам гарантировать воспроизводимость в пластинке, чтобы поставщики массового рынка просто не могут совпадать. Пользовательские геометрии, глубины кармана и каналы охлаждения на заднем плане доступны с временем срока, чем три недели, расширяющие возможности оборудования и высокопроизводительные ткани для оптимизации рецептов камеры без перепроектирования целых аппаратных стеков.

Объединив анизотропный графит всемирно -класса с герметической доспехами SIC, полукорекс -носитель для ICP предоставляет FABS с давно загрязненной и термически равномерной платформой, которая не только выдерживает самую суровую плазменную среду, но и активно повышает широкомасштабные характеристики процессора и умирающие. Для производителей устройств, стремящихся к вечно более широкой ширинах линейки, более крутых профилей и меньшей стоимости владения, это выбранная носитель, где каждый микрон, каждая пластина и каждый час срока UP -времени.