Полупроводниковый кварцевый колокольчик

Кварцевый колокольчик Semicorex Semiconductor обычно изготавливается из синтетического плавленого кварца, материала, известного своей исключительной чистотой, устойчивостью к высоким температурам и низкими свойствами теплового расширения. Это гарантирует, что камера не внесет загрязнения или примеси в процесс изготовления полупроводников.

Полупроводниковый кварцевый колокольчик обычно имеет цилиндрическую или куполообразную форму с плоским или слегка изогнутым основанием для размещения полупроводниковых пластин или подложек. Он оснащен прецизионным воздухонепроницаемым механизмом уплотнения, например фланцем или уплотнительным кольцом, для поддержания вакуума или контролируемой атмосферы внутри камеры во время обработки.

Полупроводниковый кварцевый колокольчик обеспечивает превосходную оптическую прозрачность, позволяя операторам визуально контролировать процессы внутри камеры без ущерба для точности и возникновения помех. Кварц обладает высокой устойчивостью к химическому воздействию большинства кислот, оснований и растворителей, обычно используемых в процессах производства полупроводников. Это обеспечивает целостность камеры и предотвращает загрязнение подложек.

Кварц имеет высокую температуру плавления и термическую стабильность, что позволяет полупроводниковому кварцевому колпаку выдерживать повышенные температуры, возникающие во время процессов осаждения или отжига, без деформации или разрушения.

Приложения:

Осаждение: полупроводниковые кварцевые колпаки используются в различных методах осаждения, таких как химическое осаждение из паровой фазы (CVD), физическое осаждение из паровой фазы (PVD) и осаждение атомного слоя (ALD), для нанесения тонких пленок материалов на полупроводниковые подложки с точностью и однородностью.

Травление: они используются в процессах плазменного травления для избирательного удаления материала с полупроводниковых пластин, создавая сложные узоры и структуры с высокой точностью и повторяемостью.

Отжиг: Колпаковые банки используются в процессах отжига для проведения контролируемой термической обработки полупроводниковых пластин, способствующей кристаллизации, активации легирующих примесей и снятию напряжений в осажденных пленках.