Продукты

Компания Semicorex представляет дисковый токоприемник SiC, предназначенный для повышения производительности оборудования для эпитаксии, химического осаждения металлоорганических соединений (MOCVD) и оборудования для быстрой термической обработки (RTP). Тщательно разработанный дисковый токоприемник SiC обладает свойствами, гарантирующими превосходную производительность, долговечность и эффективность в условиях высоких температур и вакуума.**

Semicorex LPE SiC-Epi Halfmoon — незаменимый актив в мире эпитаксии, обеспечивающий надежное решение проблем, связанных с высокими температурами, активными газами и строгими требованиями к чистоте.**

Приверженность Semicorex качеству и инновациям очевидна в сегменте SiC MOCVD. Обеспечивая надежную, эффективную и высококачественную эпитаксию SiC, она играет жизненно важную роль в расширении возможностей полупроводниковых устройств следующего поколения.**

Внутренний сегмент Semicorex SiC MOCVD является важным расходным материалом для систем химического осаждения из паровой фазы (MOCVD) металлорганических соединений, используемых при производстве эпитаксиальных пластин карбида кремния (SiC). Он специально разработан для того, чтобы выдерживать сложные условия эпитаксии SiC, обеспечивая оптимальную производительность процесса и высококачественные эпитаксиальные слои SiC.**

Керамический патрон Semicorex SiC — это узкоспециализированный компонент, предназначенный для использования в эпитаксиальных процессах полупроводников, где его роль вакуумного патрона имеет решающее значение. Благодаря нашему стремлению поставлять продукцию высочайшего качества по конкурентоспособным ценам, мы готовы стать вашим долгосрочным партнером в Китае.*

Насадка Semicorex CVD SiC Showerhead является важным компонентом современных процессов CVD, позволяющим получать высококачественные однородные тонкие пленки с повышенной эффективностью и производительностью. Превосходное управление потоком газа, вклад в качество пленки и длительный срок службы душевой насадки CVD SiC делают ее незаменимой для требовательных применений в производстве полупроводников.**