Насадка Semicorex CVD из карбида кремния является важным и узкоспециализированным компонентом в процессе травления полупроводников, особенно при производстве интегральных схем. Благодаря нашему непоколебимому стремлению поставлять продукцию высочайшего качества по конкурентоспособным ценам, мы готовы стать вашим долгосрочным партнером в Китае.*
Читать далееОтправить запросКольцо с покрытием Semicorex SiC является важнейшим компонентом в сложных условиях процессов эпитаксии полупроводников. Благодаря нашему твердому стремлению предоставлять продукцию высочайшего качества по конкурентоспособным ценам, мы готовы стать вашим долгосрочным партнером в Китае.*
Читать далееОтправить запросКомпания Semicorex представляет дисковый токоприемник SiC, предназначенный для повышения производительности оборудования для эпитаксии, химического осаждения металлоорганических соединений (MOCVD) и оборудования для быстрой термической обработки (RTP). Тщательно разработанный дисковый токоприемник SiC обладает свойствами, гарантирующими превосходную производительность, долговечность и эффективность в условиях высоких температур и вакуума.**
Читать далееОтправить запросКомпания Semicorex Graphite Thermal Field сочетает в себе передовые достижения материаловедения с глубоким пониманием процессов выращивания кристаллов и предлагает инновационное решение, которое позволяет полупроводниковой промышленности достичь новых уровней производительности, эффективности и экономичности.**
Читать далееОтправить запросSemicorex LPE SiC-Epi Halfmoon — незаменимый актив в мире эпитаксии, обеспечивающий надежное решение проблем, связанных с высокими температурами, активными газами и строгими требованиями к чистоте.**
Читать далееОтправить запросПокрытие Semicorex CVD TaC становится важной технологией, позволяющей работать в сложных условиях эпитактических реакторов, характеризующихся высокими температурами, химически активными газами и строгими требованиями к чистоте, что требует использования прочных материалов для обеспечения последовательного роста кристаллов и предотвращения нежелательных реакций.**
Читать далееОтправить запрос