Новости

Промышленные применения GaN

Области применения GaN на основе SiC и GaN строго не разделены. В устройствах GaN-On-SiC стоимость подложки SiC относительно высока, и с ростом зрелости технологии длинных кристаллов SiC ожидается дальнейшее падение стоимости устройства, и оно используется в силовых устройствах в области силовой эле......

О полупроводниковых нагревательных элементах

Термическая обработка является одним из основных и важных процессов в полупроводниковом процессе. Термический процесс — это процесс приложения тепловой энергии к пластине путем помещения ее в среду, заполненную определенным газом, включая окисление/диффузию/отжиг и т. д.

Начало производства пластин 3C-SiC

Теплопроводность объемного 3C-SiC, недавно измеренная, является второй по величине среди крупных кристаллов дюймового размера, занимая место чуть ниже алмаза. Карбид кремния (SiC) представляет собой полупроводник с широкой запрещенной зоной, широко используемый в электронных приложениях, и существуе......

Semicorex представляет 8-дюймовую эпитаксиальную пластину SiC

Тайваньская компания PSMC построит в Японии завод по производству 300-мм пластин

Тайваньская корпорация Power Semiconductor Manufacturing Corporation (PSMC) объявила о планах построить в Японии завод по производству 300-мм пластин в сотрудничестве с SBI Holdings. Целью этого сотрудничества является укрепление внутренней цепочки поставок ИС (интегральных схем) в Японии с особым а......

Что такое CVD для SiC