Какие применения подложки из нитрида галлия (GaN)?

Нитрид галлия (GaN)— важный материал в полупроводниковой технологии, известный своими исключительными электронными и оптическими свойствами. GaN, как широкозонный полупроводник, имеет энергию запрещенной зоны примерно 3,4 эВ, что делает его идеальным для мощных и высокочастотных приложений. Высокая подвижность электронов и сильные оптические характеристики GaN привели к значительному прогрессу в силовой электронике и оптоэлектронных устройствах.

ГаНхарактеризуется высокой подвижностью электронов, что имеет решающее значение для эффективности полупроводниковых приборов. Такая высокая подвижность электронов является результатом прочной кристаллической структуры GaN и уменьшенного рассеяния электронов, что обеспечивает более высокую скорость переключения и меньшие потери мощности в электронных устройствах. По сравнению с традиционными кремниевыми (Si) полупроводниками,ГаН-устройствамогут работать при более высоких напряжениях и температурах, сохраняя при этом превосходную эффективность. Высокая подвижность электронов GaN также способствует его низкому сопротивлению в открытом состоянии, что приводит к снижению потерь проводимости и позволяет силовым устройствам на основе GaN работать с большей эффективностью и меньшим выделением тепла.

Оптические свойства ГаН

Помимо своих электронных свойств,ГаНизвестен своими сильными оптическими характеристиками.ГаНобладает уникальной способностью излучать свет в широком спектре, от ультрафиолетового (УФ) до видимого света, что делает его ключевым материалом при разработке оптоэлектронных устройств, таких как светоизлучающие диоды (СИД) и лазерные диоды. Светодиоды на основе GaN высокоэффективны, долговечны и энергосберегающие, а лазерные диоды на основе GaN необходимы для оптических запоминающих устройств высокой плотности и находят применение в промышленности и медицине.

ГаН в силовых и оптоэлектронных устройствах

ГаНВысокая подвижность электронов и сильные оптические свойства делают его пригодным для широкого спектра применений. В силовой электронике GaN-устройства превосходны благодаря своей способности выдерживать более высокие напряжения без разрушения и низкому сопротивлению в открытом состоянии, что делает их идеальными для преобразователей мощности, инверторов и радиочастотных усилителей. В оптоэлектронике GaN продолжает способствовать развитию светодиодных и лазерных технологий, внося свой вклад в разработку энергоэффективных осветительных решений и технологий высокопроизводительных дисплеев.

Потенциал новых полупроводниковых материалов

По мере развития технологий появляются новые полупроводниковые материалы, способные совершить революцию в отрасли. Среди этих материаловОксид галлия (Ga₂O₃)и Diamond выделяются как исключительно перспективные.

Оксид галлия со сверхширокой запрещенной зоной 4,9 эВ привлекает внимание как материал для мощных электронных устройств следующего поколения.Ga₂O₃Способность выдерживать чрезвычайно высокие напряжения делает его отличным кандидатом для применения в силовой электронике, где эффективность и управление температурным режимом имеют решающее значение.

С другой стороны, алмаз известен своей исключительной теплопроводностью и чрезвычайно высокой подвижностью носителей, что делает его исключительно привлекательным материалом для мощных и высокочастотных приложений. Интеграция алмаза в полупроводниковые устройства может привести к значительному улучшению производительности и надежности, особенно в средах, где рассеивание тепла имеет решающее значение.

Нитрид галлияпрочно зарекомендовал себя как краеугольный материал в полупроводниковой промышленности благодаря своей высокой подвижности электронов и сильным оптическим свойствам. Его применение в силовой электронике и оптоэлектронных устройствах способствовало существенному развитию технологий, позволяя создавать более эффективные и компактные решения. Поскольку отрасль продолжает исследовать новые материалы, такие как оксид галлия и алмаз, потенциал для дальнейших инноваций в полупроводниковых технологиях огромен. Эти новые материалы в сочетании с проверенными возможностями GaN способны сформировать будущее электроники и оптоэлектроники на долгие годы вперед.

---

Semicorex предлагает высококачественныеполупроводниковые пластиныдля полупроводниковой промышленности Если у вас есть какие-либо вопросы или вам нужна дополнительная информация, пожалуйста, не стесняйтесь обращаться к нам.

Контактный телефон +86-13567891907.

Электронная почта: sales@semicorex.com