Керамика из карбида кремния (SiC) представляет собой передовой керамический материал, известный своими исключительными свойствами и широким спектром применения. Он состоит из атомов кремния (Si) и углерода (C), расположенных в виде кристаллической решетки, в результате чего получается твердый и проч......
Читать далееПластина карбида кремния (SiC) P-типа представляет собой полупроводниковую подложку, легированную примесями для создания проводимости P-типа (положительной). Карбид кремния — это полупроводниковый материал с широкой запрещенной зоной, обладающий исключительными электрическими и тепловыми свойствами,......
Читать далееГрафитовый токоприемник является одной из основных частей оборудования МОСГФ, является носителем и нагревателем подложки пластины. Его свойства термической стабильности и термической однородности играют решающую роль в качестве эпитаксиального роста пластин, что напрямую определяет однородность и чи......
Читать далее