- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Дом
>
Продукты > Карбид кремния с покрытием > Носитель для травления ICP > Система плазменного травления ICP
Система плазменного травления ICP
Носитель Semicorex с покрытием SiC для системы плазменного травления с ИСП — это надежное и экономичное решение для высокотемпературных процессов обработки пластин, таких как эпитаксия и MOCVD. Наши носители имеют тонкое кристаллическое покрытие SiC, которое обеспечивает превосходную термостойкость, равномерную тепловую однородность и длительную химическую стойкость.
Отправить запрос
Описание продукта
Добейтесь высочайшего качества процессов эпитаксии и MOCVD с носителем с покрытием SiC от Semicorex для системы плазменного травления с ИСП. Наш продукт разработан специально для этих процессов и обеспечивает превосходную термостойкость и коррозионную стойкость. Наше мелкозернистое кристаллическое покрытие SiC обеспечивает чистую и гладкую поверхность, что позволяет оптимально обращаться с пластинами.
Свяжитесь с нами сегодня, чтобы узнать больше о нашем носителе с покрытием SiC для системы плазменного травления ICP.
Параметры носителя с покрытием SiC для системы плазменного травления с ИСП
|
Основные характеристики покрытия CVD-SIC |
||
|
SiC-ХОПФ свойства |
||
|
Кристальная структура |
Фаза FCC β |
|
|
Плотность |
г/см³ |
3.21 |
|
твердость |
твердость по Виккерсу |
2500 |
|
Размер зерна |
μ м |
2~10 |
|
Химическая чистота |
% |
99.99995 |
|
Теплоемкость |
Дж·кг-1 ·К-1 |
640 |
|
Температура сублимации |
℃ |
2700 |
|
Фелексурная сила |
МПа (4-балльная КТ) |
415 |
|
Модуль Юнга |
ГПа (изгиб 4pt, 1300°C) |
430 |
|
Тепловое расширение (CTE) |
10-6К-1 |
4.5 |
|
Теплопроводность |
(Вт/мК) |
300 |
Характеристики носителя с покрытием SiC для системы плазменного травления с ИСП
- Избегайте отслаивания и обеспечьте покрытие на всей поверхности
Стойкость к высокотемпературному окислению: стабильна при высоких температурах до 1600°C.
Высокая чистота: получено химическим осаждением из паровой фазы CVD в условиях высокотемпературного хлорирования.
Коррозионная стойкость: высокая твердость, плотная поверхность и мелкие частицы.
Коррозионная стойкость: кислота, щелочь, соль и органические реагенты.
- Достичь наилучшего ламинарного потока газа
- Гарантия ровности теплового профиля
- Предотвратить любое загрязнение или диффузию примесей
Горячие Теги: Система плазменного травления ICP, Китай, Производители, Поставщики, Фабрика, Индивидуальные, Массовые, Усовершенствованные, Прочные
Тег продукта
Связанная категория
Баррель Сусептор
Носитель для травления PSS
Носитель для травления ICP
RTP-носитель
Восприимчивость MOCVD
Монокристаллический кремний
Светодиодный эпитаксиальный токоприемник
Эпитаксия карбида кремния
Эпитаксия GaN на SiC
Вафельный нагреватель
Блин Сусептор
Си Эпитаксия
Фотоэлектрические части
Отправить запрос
Пожалуйста, не стесняйтесь дать свой запрос в форме ниже. Мы ответим вам в течение 24 часов.
