Система плазменного травления ICP

Носитель Semicorex с покрытием SiC для системы плазменного травления ICP представляет собой надежное и экономичное решение для высокотемпературных процессов обработки пластин, таких как эпитаксия и MOCVD. Наши носители имеют тонкое кристаллическое покрытие SiC, которое обеспечивает превосходную термостойкость, равномерную термическую однородность и длительную химическую стойкость.

Отправить запрос

Описание продукта

Обеспечьте высочайшее качество процессов эпитаксии и MOCVD с помощью носителя с покрытием SiC от Semicorex для системы плазменного травления ICP. Наш продукт разработан специально для этих процессов и обладает превосходной термостойкостью и устойчивостью к коррозии. Наше тонкое кристаллическое покрытие SiC обеспечивает чистую и гладкую поверхность, что позволяет оптимально обращаться с пластинами.
Свяжитесь с нами сегодня, чтобы узнать больше о нашем носителе с покрытием SiC для системы плазменного травления ICP.

Параметры носителя с покрытием SiC для системы плазменного травления ICP

Основные характеристики покрытия CVD-SIC
Свойства SiC-CVD
Кристаллическая структура	FCC β-фаза
Плотность	г/см³	3.21
Твердость	Твердость по Виккерсу	2500
Размер зерна	мкм	2~10
Химическая чистота	%	99.99995
Теплоемкость	Дж кг-1 К-1	640
Температура сублимации	℃	2700
Фелексуральная сила	МПа (RT 4-точечный)	415
Модуль Юнга	Gpa (изгиб 4 пт, 1300 ℃)	430
Тепловое расширение (CTE)	10-6К-1	4.5
Теплопроводность	(Вт/мК)	300