Подложка пластины 3C-SiC

Подложка Semicorex 3C-SiC изготовлена из SiC с кубическим кристаллом. Мы уже много лет являемся производителем и поставщиком полупроводниковых пластин. Мы с нетерпением ждем возможности стать вашим долгосрочным партнером в Китае.

Отправить запрос

Описание продукта

Подложка пластины 3C-SiC (кубический карбид кремния) относится к определенному типу кристаллической структуры карбида кремния, которая обычно используется в качестве материала подложки в области производства полупроводниковых устройств. Это альтернатива другим подложкам на основе кремния, таким как кремний (Si) или кремний-германий (SiGe), благодаря своим превосходным свойствам материала.

Подложка пластины 3C-SiC с высокой теплопроводностью, уступающей только алмазу. Карбид кремния известен своей превосходной теплопроводностью, высокой напряженностью электрического поля и широкой запрещенной зоной, что делает его хорошо подходящим для применения в силовой электронике, высокотемпературных и высокочастотных устройствах.