Подложка SiC P-типа

Semicorex предлагает полную линейку пластин из карбида кремния (SiC), включая подложки 4H и 6H с полуизолирующими пластинами N-типа, P-типа и высокой чистоты, они могут быть с эпитаксией или без нее.

Подложка Semicorex P-type SiC Substrate Wafer имеет двойную полированную поверхность, обеспечивающую превосходную плоскостность и качество поверхности. Эта функция имеет решающее значение для обеспечения последовательного и точного осаждения полупроводниковых материалов во время производства устройств.

Наша подложка SiC P-типа обеспечивает превосходную электропроводность, что делает ее идеальным материалом подложки для высокотемпературных и мощных электронных устройств. Его уникальные свойства позволяют ему хорошо работать в суровых условиях, включая высокие температуры, сильное излучение и коррозионные условия.