Опора Semicorex Quartz Susceptor специально разработана для эпитаксиальных печей полупроводников. Его материалы высокой чистоты и точная конструкция позволяют точно контролировать подъем и позиционирование лотков или держателей образцов внутри реакционной камеры. Компания Semicorex может предоставить индивидуальные кварцевые решения высокой чистоты, гарантирующие долгосрочную стабильность работы каждого поддерживающего компонента в условиях высокого вакуума, высоких температур и высокой коррозионной активности полупроводниковых процессов благодаря передовым технологиям обработки и строгому контролю качества.*
В жестких условиях производства полупроводников разница между высокопроизводительной партией и дорогостоящим отказом часто заключается в микроскопической точности позиционирования пластины. Опорный вал кварцевого токоприемника Semicorex (обычно называемый эпитаксиальным кварцевым валом) служит буквально основой процессов химического осаждения из паровой фазы (CVD) и эпитаксиального роста. Этот компонент, спроектированный так, чтобы выдерживать экстремальные температурные градиенты и химическое воздействие, имеет решающее значение для жидкости, вертикального движения и вращения токоприемников или держателей пластин.
Эпитаксиальный процесс требует температур, часто превышающих 1000°C, и среды, свободной от даже малейших металлических загрязнений. В таких условиях стандартные материалы выйдут из строя или начнут выделять газы. Наша опора кварцевого токоприемника изготовлена из синтетического плавленого кварца сверхвысокой чистоты, что обеспечивает:
Исключительная термическая стабильность:Высокая устойчивость к тепловому удару, предотвращающая растрескивание во время быстрых циклов нагрева и охлаждения.
Химическая инертность:Не реагирует с газами-прекурсорами и чистящими средствами, сохраняя целостность полупроводниковой пластины.
Минимальное загрязнение:Уровень примесей, измеряемый в частях на миллион (ppm), предотвращает «допинг» атмосферы нежелательными элементами.
Основная функция опоры кварцевого сусцептора — облегчить вертикальное и вращательное движение сусцептора — пластины, удерживающей полупроводниковую пластину.
В типичном реакторе расстояние между поверхностью пластины и входом газа определяет однородность пленки. Наши кварцевые валы обрабатываются с точностью до миллиметра. Это позволяет системе управления движением оборудования поднимать или опускать токоприемник с абсолютной повторяемостью, гарантируя, что каждая пластина в производственном цикле испытывает идентичную динамику потока газа.
Эффективность крупносерийного производства (HVM) зависит от скорости обработки пластин. Листовая конструкция и усиленные ребра конструкции опорного вала гарантируют, что он выдержит вес тяжелого графита илитокоприемники с покрытием из карбида кремния (SiC)без поклонов и вибрации. Эта стабильность необходима для быстрой передачи образцов между различными камерами обработки или рабочими станциями, сводя к минимуму время простоя.
Хотя токоприемник должен быть горячим, расположенные ниже механические компоненты часто должны оставаться прохладными.Кварцдействует как естественный теплоизолятор. Полая трубчатая структура вала уменьшает путь теплопроводности, защищая двигатель и вакуумные уплотнения, расположенные в основании реактора.
| Свойство |
Ценить |
| Материал |
Плавленый кварц высокой чистоты (SiO2 > 99,99%) |
| Рабочая температура |
До 1200°C (непрерывно) |
| Поверхностная обработка |
Полированный |
| Тип конструкции |
Трехконтактная опора токоприемника / вала |
| Приложение |
MOCVD, CVD, эпитаксия и диффузионные печи |