Альн монокристаллическая пластина

Полукорекс -монокристаллическая пластина Aln является революционным прогрессом в области полупроводниковых технологий, предлагая уникальную комбинацию исключительных электрических, термических и механических свойств. В качестве сверхуровневого полупроводникового материала с полосатой полосой с полосой 6,2 эВ, ALN все чаще распознается как оптимальный субстрат для мощных, высокочастотных и глубоких ультрафиолетовых (УФ-) оптоэлектронных устройств. Эти свойства позиционируют Aln как превосходную альтернативу традиционным субстратам, таким как сапфир, карбид кремния (SIC) и нитрид галлия (GAN), особенно в приложениях, требующих экстремальной тепловой стабильности, высокого напряжения разбивки и превосходной теплопроводности.

В настоящее время монокристаллическая пластина ALN коммерчески доступна в размерах до 2 дюймов в диаметре. Поскольку исследования и разработки продолжаются, ожидается, что достижения в области технологий роста кристаллов позволит увеличить размеры пластин, повысить масштабируемость производства и снизить затраты на промышленные применения.

Подобно монокристаллическому росту SIC, монокристаллы Aln не могут выращиваться методом расплава, но могут выращивать только с помощью физического транспорта паров (PVT).

Существует три важных стратегии роста для роста монокристаллов ALN:

1) Спонтанное рост зарождения

2) Гетеоэпитаксиальный рост на субстрате 4H-/6H-SIC

3) Гомоэпитаксиальный рост

Монокристаллическая пластина Aln отличается от их сверхуровневой полосы 6,2 эВ, что гарантирует исключительную электрическую изоляцию и непревзойденную глубокую ультрафиолетовую производительность. Эти пластины могут похвастаться высоким электрическим полем, которое превышает поле SIC и GAN, позиционируя их как оптимальный выбор для мощных электронных устройств. При впечатляющей теплопроводности приблизительно 320 Вт/МК они обеспечивают эффективное рассеяние тепла, что является критическим требованием для мощных применений. ALN не только химически и термически стабильна, но и поддерживает максимальную производительность в экстремальных средах. Его превосходное радиационное сопротивление делает его непревзойденным вариантом для пространства и ядерных применений. Кроме того, его замечательные пьезоэлектрические свойства, высокая скорость пилы и сильная электромеханическая связь устанавливают его в качестве выдающегося кандидата для устройств, фильтров и датчиков на уровне GHZ.

Монокристаллическая пластина Aln обнаруживает обширные применения в различных высокопроизводительных электронных и оптоэлектронных устройствах. Они служат идеальным субстратом для оптоэлектроники Deep Ultraviolet (DUV), включая глубокие ультрафиолетовые светодиоды, работающие в диапазоне 200-280 нм для стерилизации, очистки воды и биомедицинских применений, а также ультрафиолетовых лазерных диодов (LDS), используемых в передовых промышленных и медицинских областях. ALN также широко используется в мощных и высокочастотных электронных устройствах, особенно в радиочастотных (RF) и микроволновых компонентах, где его высокое напряжение разбивки и низкое рассеяние электронов обеспечивает превосходную производительность усилителей мощности и системы связи. Кроме того, он играет решающую роль в электронике, повышая эффективность инверторов и преобразователей в электромобилях, системах возобновляемых источников энергии и аэрокосмических применениях. Кроме того, превосходные пьезоэлектрические свойства Aln и высокая скорость пилы делают его оптимальным материалом для устройств поверхностной акустической волны (SAW) и устройств объемной акустической волны (BAW), которые необходимы для телекоммуникаций, обработки сигналов и технологий зондирования. Благодаря своей исключительной теплопроводности, ALN также является ключевым материалом в растворах теплового управления для мощных светодиодов, лазерных диодов и электронных модулей, обеспечивающих эффективное рассеяние тепла и улучшение долговечности устройства.

Полукорекс -монокристаллическая пластина представляет собой будущее полупроводниковых субстратов, предлагая непревзойденные электрические, тепловые и пьезоэлектрические свойства. Их применение в области глубокой УФ-оптоэлектроники, электроники и акустических волновых устройств делает их очень востребованным материалом для технологии следующего поколения. Поскольку возможности изготовления продолжают улучшаться, Aln Wafers станет незаменимым компонентом высокопроизводительных полупроводниковых устройств, прокладывая путь для инновационных достижений в разных отраслях.