Керамический диск PBN от Semicorex синтезируется с помощью сложного процесса химического осаждения из паровой фазы (CVD) с использованием трихлорида бора (BCl3) и аммиака (NH3) при повышенных температурах и низком давлении. Этот метод синтеза позволяет получить материал исключительной чистоты и структурной целостности, что делает его незаменимым для различных применений в полупроводниковой промышленности.**
Одним из наиболее значительных преимуществ керамического диска PBN является его исключительно высокая чистота. Чистота используемых в процессе синтеза газообразных материалов (BCl3 + NH3 -> BN + HCl) значительно превышает чистоту обычных порошков нитрида бора. Следовательно, керамический диск PBN достигает уровня чистоты 99,99%, при этом общее количество примесей составляет менее 100 частей на миллион (ppm). Эта исключительная чистота имеет решающее значение в производстве полупроводников, где даже малейшее загрязнение может привести к дефектам электронных компонентов. Обеспечивая такую высокую чистоту, керамический диск PBN сводит к минимуму риск загрязнения, тем самым повышая надежность и производительность полупроводниковых устройств.
Процесс CVD, используемый при производстве керамического диска PBN, придает ему почти идеальную слоистую структуру. Эта уникальная структура обеспечивает анизотропную теплопроводность — свойство, которое очень полезно для компонентов, используемых в печах и вакуумных системах. Анизотропная теплопроводность позволяет керамическому диску PBN эффективно управлять распределением тепла, обеспечивая равномерный контроль температуры по всей поверхности диска. Эта возможность важна в процессах производства полупроводников, которые требуют точного управления температурой для предотвращения температурных градиентов, которые могут привести к отказам компонентов или снижению эффективности.
С точки зрения термостойкости керамический диск PBN является образцовым материалом. Он может выдерживать температуры до 1800°C в вакууме и 2000°C в азоте, не проявляя температуры плавления. Эта исключительная термическая стабильность делает его идеальным выбором для компонентов печей и плавильных сосудов, где экстремальные температуры являются обычной частью работы. Способность сохранять структурную целостность при таких высоких температурах обеспечивает долговечность и надежность, уменьшая необходимость частой замены и, таким образом, снижая общие эксплуатационные расходы.
Химическая инертность — еще одна отличительная черта керамического диска PBN. Он устойчив к реакциям с широким спектром веществ, включая кислоты, щелочи, органические растворители, расплавленные металлы и графит. Эта инертность особенно выгодна в производстве полупроводников, где часто подвергаются воздействию химически активных веществ. Оставаясь нереактивным, керамический диск PBN позволяет избежать нежелательных химических взаимодействий, которые могут поставить под угрозу целостность и функциональность полупроводниковых компонентов.
Применение керамического диска PBN в полупроводниковой промышленности разнообразно и эффективно. Его свойства делают его идеальным материалом для использования в различных средах с высокими температурами и высокой чистотой. Например, в процессах эпитаксиального роста диск служит важнейшим компонентом систем осаждения, где его чистота и теплопроводность обеспечивают производство высококачественных полупроводниковых слоев. Кроме того, при производстве светодиодов и других оптоэлектронных устройств керамический диск PBN обеспечивает стабильную и надежную платформу, поддерживающую сложные процессы, необходимые для достижения оптимальной производительности устройства.
Более того, роль PBN Ceramic Disc распространяется и на производство силовой электронной техники. Эти устройства часто работают при высоких температурах и требуют материалов, способных сохранять работоспособность в таких условиях. Превосходные термические и химические свойства керамического диска PBN делают его подходящим выбором для подложек и других компонентов систем силовой электроники, способствуя повышению эффективности и долговечности этих устройств.
Структуры нитрида бора