Карбид кремния промышленности

Производство карбида кремния включает в себя цепочку процессов, включающую создание подложек, эпитаксиальное выращивание, проектирование устройств, их производство, упаковку и тестирование. Как правило, карбид кремния изготавливается в виде слитков, которые затем нарезаются, шлифуются и полируются для полученияподложка из карбида кремния. Подложка проходит процесс эпитаксиального роста для полученияэпитаксиальная пластина. Эпитаксиальная пластина затем используется для создания устройства посредством различных этапов, таких как фотолитография, травление, ионная имплантация и осаждение. Пластины разрезаются на штампы и инкапсулируются для получения устройств. Наконец, устройства объединяются и собираются в модули в специальном корпусе.

Ценность цепочки производства карбида кремния в основном сосредоточена на предшествующих подложках и эпитаксиальных звеньях. По данным CASA, на подложку приходится примерно 47% стоимости устройств из карбида кремния, а на эпитаксиальную связь — 23%. Стоимость до изготовления составляет 70% от общей стоимости. С другой стороны, для устройств на основе Si производство пластин составляет 50% стоимости, а подложка пластины составляет только 7% стоимости. Это подчеркивает ценность входной подложки и эпитаксиальных связей для устройств из карбида кремния.

Несмотря на то, чтоподложка из карбида кремнияиэпитаксиальныйцены относительно дороги по сравнению с кремниевыми пластинами, высокий КПД, высокая удельная мощность и другие характеристики устройств из карбида кремния делают их привлекательными для различных отраслей промышленности, включая новые источники энергии, энергетику и промышленность. Таким образом, ожидается, что спрос на устройства из карбида кремния будет быстро расти, что будет способствовать проникновению карбида кремния в различные области.