Методы роста кристаллов AlN

AlN, как полупроводниковый материал третьего поколения, является не только важным материалом для синего и ультрафиолетового света, но также важным материалом для упаковки, диэлектрической изоляции и изоляции для электронных устройств и интегральных схем, особенно подходящим для высокотемпературных и мощных устройств. . Кроме того, AlN и GaN имеют хорошее термическое соответствие и химическую совместимость. AlN, используемый в качестве эпитаксиальной подложки GaN, может значительно снизить плотность дефектов в устройствах GaN, улучшить производительность устройства.

Из-за привлекательных перспектив применения получение высококачественных кристаллов AlN большого размера привлекло большое внимание исследователей в стране и за рубежом. В настоящее время кристаллы AlN получают растворным методом, прямым азотированием металлического алюминия, гидридной газофазной эпитаксии и физическим парофазным транспортом (PVT). Среди них основной технологией выращивания кристаллов AlN стал метод PVT, обладающий высокой скоростью роста (до 500-1000 мкм/ч) и высоким качеством кристаллов (плотность дислокаций ниже 103 см-2).

Рост кристаллов AlN методом PVT осуществляется путем сублимации, газофазного транспорта и рекристаллизации порошка AlN, а температура среды роста достигает 2300 ℃. Основной принцип выращивания кристаллов AlN методом PVT относительно прост и показан следующим уравнением:

2AlN(т) ⥫⥬ 2Al(г) +N2(г)

Основные этапы процесса роста заключаются в следующем: (1) сублимация исходного порошка AlN; (2) транспортировка газофазных компонентов сырья; (3) адсорбция компонентов газовой фазы на ростовой поверхности; (4) поверхностная диффузия и зародышеобразование; и (5) процесс десорбции [10]. При обычном атмосферном давлении кристаллы AlN начинают медленно разлагаться на пары Al и азот только при температуре около 1 700 ℃, а реакция разложения AlN быстро усиливается при достижении температуры 2 200 ℃.

Материал TaC представляет собой настоящий используемый материал для тигля для выращивания кристаллов AlN с превосходными физическими и химическими свойствами, отличной тепло- и электропроводностью, стойкостью к химической коррозии и хорошей стойкостью к тепловому удару, что может эффективно повысить эффективность производства и срок службы.

Semicorex предлагает высококачественныеПродукты покрытия TaCс индивидуальным обслуживанием. Если у вас есть какие-либо вопросы или вам нужна дополнительная информация, пожалуйста, не стесняйтесь обращаться к нам.

Контактный телефон +86-13567891907.

Электронная почта: sales@semicorex.com