Новости отрасли

Различные типы керамики SiC

Керамика из карбида кремния (SiC) представляет собой передовой керамический материал, известный своими исключительными свойствами и широким спектром применения. Он состоит из атомов кремния (Si) и углерода (C), расположенных в виде кристаллической решетки, в результате чего получается твердый и проч......

Что такое пластина SiC P-типа?

Пластина карбида кремния (SiC) P-типа представляет собой полупроводниковую подложку, легированную примесями для создания проводимости P-типа (положительной). Карбид кремния — это полупроводниковый материал с широкой запрещенной зоной, обладающий исключительными электрическими и тепловыми свойствами,......

Почему стоит выбрать графитовые токоприемники с покрытием SiC?

Графитовый токоприемник является одной из основных частей оборудования МОСГФ, является носителем и нагревателем подложки пластины. Его свойства термической стабильности и термической однородности играют решающую роль в качестве эпитаксиального роста пластин, что напрямую определяет однородность и чи......

Что представляет собой процесс эпитаксии SiC?

В области высокого напряжения, особенно для высоковольтных устройств выше 20 000 В, эпитаксиальная технология SiC по-прежнему сталкивается с рядом проблем. Одной из основных трудностей является достижение высокой однородности, толщины и концентрации легирующей примеси в эпитаксиальном слое. Для изго......

Существенный рост рынка графитовых токоприемников с покрытием SiC

MOCVD является ключевым оборудованием