Полировка поверхности кремниевых пластин

Кремниевая пластинаПолировка поверхности — важнейший процесс в производстве полупроводников. Его основной целью является достижение чрезвычайно высоких стандартов плоскостности и шероховатости поверхности путем удаления микродефектов, слоев повреждений под напряжением и загрязнений такими примесями, как ионы металлов. Это гарантирует, чтокремниевые пластинысоответствовать требованиям подготовки микроэлектронных устройств, в том числе интегральных схем (ИС).

Чтобы гарантировать точность полировки,кремниевая пластинаПроцесс полировки можно разделить на два, три или даже четыре отдельных этапа. На каждом этапе используются различные условия обработки, включая давление, состав полировальной жидкости, размер частиц, концентрацию, значение pH, материал полировальной ткани, структуру, твердость, температуру и объем обработки.

Общие этапыкремниевая пластинаполировка заключается в следующем:

1. **Грубая полировка**. Целью этого этапа является удаление слоя повреждений от механических напряжений, оставшихся на поверхности после предварительной обработки, для достижения необходимой точности геометрических размеров. Объем обработки при черновой полировке обычно превышает 15–20 мкм.

2. **Тонкая полировка**: на этом этапе локальная плоскостность и шероховатость поверхности кремниевой пластины дополнительно сводятся к минимуму, чтобы обеспечить высокое качество поверхности. Объем обработки при тонкой полировке составляет около 5–8 мкм.

3. **Тонкая полировка «Устранение запотевания».**: на этом этапе основное внимание уделяется устранению мелких дефектов поверхности и улучшению наноморфологических характеристик пластины. Количество материала, удаляемого во время этого процесса, составляет около 1 мкм.

4. **Окончательная полировка**. Для процессов обработки микросхем с чрезвычайно строгими требованиями к ширине линий (например, чипы размером менее 0,13 мкм или 28 нм) этап окончательной полировки необходим после тонкой полировки и «устранения запотевания» тонкой полировки. Это гарантирует, что кремниевая пластина достигнет исключительной точности обработки и наноразмерных характеристик поверхности.

Важно отметить, что химико-механическая полировка (ХМП)кремниевая пластинаПоверхность отличается от технологии CMP, используемой для выравнивания поверхности пластины при подготовке ИС. Хотя оба метода предполагают сочетание химической и механической полировки, их условия, цели и применение существенно различаются.

Семикорекс предлагаеткачественные вафли. Если у вас есть какие-либо вопросы или вам нужна дополнительная информация, пожалуйста, не стесняйтесь обращаться к нам.

Контактный телефон +86-13567891907.

Электронная почта: sales@semicorex.com