Infineon представляет первую в мире 300-мм пластину Power GaN

Недавно компания Infineon Technologies объявила об успешной разработке первой в мире технологии изготовления пластин из нитрида галлия (GaN) толщиной 300 мм. Это делает их первой компанией, которая освоила эту революционную технологию и достигла массового производства в рамках существующих крупномасштабных производственных площадей с высокой производительностью. Это нововведение знаменует собой значительный прогресс на рынке силовых полупроводников на основе GaN.

Чем технология 300 мм отличается от технологии 200 мм?

По сравнению с технологией 200 мм, использование пластин диаметром 300 мм позволяет производить в 2,3 раза больше GaN-чипов на пластину, что значительно повышает эффективность производства и производительность. Этот прорыв не только укрепляет лидерство Infineon в области энергетических систем, но и ускоряет быстрое развитие технологии GaN.

Что сказал генеральный директор Infineon об этом достижении?

Генеральный директор Infineon Technologies Йохен Ханебек заявил: «Это замечательное достижение демонстрирует нашу мощную силу в области инноваций и является свидетельством неустанных усилий нашей глобальной команды. Мы твердо верим, что этот технологический прорыв изменит отраслевые нормы и раскроет весь потенциал технологии GaN. Спустя почти год после приобретения GaN Systems мы еще раз демонстрируем нашу решимость лидировать на быстрорастущем рынке GaN. Будучи лидером в области энергетических систем, Infineon получила конкурентное преимущество в трех ключевых материалах: кремнии, карбиде кремния и GaN».

Генеральный директор Infineon Йохен Ханебек держит одну из первых в мире 300-миллиметровых пластин GaN Power, изготовленных в существующей и масштабируемой крупносерийной производственной среде.

Почему технология GaN 300 мм выгодна?

One significant advantage of the 300mm GaN technology is that it can be produced using existing 300mm silicon manufacturing equipment, as GaN and silicon share similarities in manufacturing processes. This feature allows Infineon to seamlessly integrate GaN technology into its current production systems, thereby accelerating the technology’s adoption and application.

Где компания Infineon успешно произвела пластины GaN диаметром 300 мм?

В настоящее время Infineon успешно производит 300-миллиметровые пластины GaN на существующих 300-миллиметровых линиях по производству кремния на своей электростанции в Филлахе, Австрия. Опираясь на устоявшуюся основу технологии 200-мм GaN и производства кремния 300-мм, компания еще больше расширила свои технологические и производственные возможности.

Что этот прорыв означает для будущего?

Этот прорыв не только подчеркивает сильные стороны Infineon в области инноваций и крупномасштабного производства, но и закладывает прочную основу для будущего развития силовой полупроводниковой промышленности. Поскольку технология GaN продолжает развиваться, Infineon будет продолжать стимулировать рост рынка, еще больше укрепляя свои лидирующие позиции в мировой полупроводниковой промышленности.**