Зная GaN

В последнее время полупроводниковая промышленность продолжает уделять все большее вниманиеНитрид галлия (GaN)технологии. Благодаря своим превосходным электронным свойствам устройства из нитрида галлия находят важное применение во многих областях высоких технологий:

1. Оптоэлектронное поле:Нитрид галлияявляется ключевым материалом для производства оптоэлектронных устройств, таких как светодиодное освещение и лазеры.

2. Радиочастотное поле: в технологии связи 5GНитрид галлиястал основным компонентом благодаря своей высокой частоте и высокой плотности мощности.

3. Силовая электроника:Нитрид галлияСиловые устройства повышают эффективность зарядки и уменьшают размер зарядного устройства в технологии быстрой зарядки. Они также широко используются в фотоэлектрических системах, центрах обработки данных, электромобилях и других областях.

Выбор субстрата дляГаНустройства оказывает существенное влияние на его производительность и стоимость:

1. Сапфир. Благодаря отработанному производственному процессу сапфировая подложка представляет собой экономически эффективное решение, особенно в области светодиодного освещения.

2. Карбид кремния (SiC). Хотя подложки из карбида кремния более дорогие, они обеспечивают отличную теплопроводность и подходят для мощных и радиочастотных применений.

3. Кремний (Si). Подложки на основе кремния недороги и совместимы с существующими процессами производства полупроводников, что делает их пригодными для массового производства.

4. Гомогенный нитрид галлия (GaN-на-GaN): Теоретически это самый идеальный выбор, но из-за технических и финансовых ограничений он еще не получил широкого коммерциализации.