Пористый графит для выращивания высококачественных кристаллов SiC методом PVT

Карбид кремния (SiC) стал ключевым материалом в области полупроводниковых технологий, предлагая исключительные свойства, которые делают его весьма желательным для различных электронных и оптоэлектронных приложений. Производство высококачественных монокристаллов SiC имеет решающее значение для расширения возможностей таких устройств, как силовая электроника, светодиоды и высокочастотные устройства. В этой статье мы углубимся в значение пористого графита в методе физического переноса паров (PVT) для выращивания монокристаллов 4H-SiC.

Метод PVT является широко используемым методом производства монокристаллов SiC. Этот процесс включает сублимацию исходных материалов SiC в высокотемпературной среде с последующей их конденсацией на затравочном кристалле с образованием монокристаллической структуры. Успех этого метода во многом зависит от условий внутри ростовой камеры, включая температуру, давление и используемые материалы.

Пористый графит с его уникальной структурой и свойствами играет ключевую роль в улучшении процесса роста кристаллов SiC. Кристаллы SiC, выращенные традиционными методами PVT, будут иметь несколько кристаллических форм. Однако использование тигля из пористого графита в печи может значительно повысить чистоту монокристалла 4H-SiC.

Использование пористого графита в PVT-методе выращивания монокристаллов 4H-SiC представляет собой значительный прогресс в области полупроводниковых технологий. Уникальные свойства пористого графита способствуют улучшению потока газа, однородности температуры, снижению напряжений и улучшению отвода тепла. В совокупности эти факторы приводят к производству высококачественных монокристаллов SiC с меньшим количеством дефектов, что открывает путь для разработки более эффективных и надежных электронных и оптоэлектронных устройств. Поскольку полупроводниковая промышленность продолжает развиваться, использование пористого графита в процессах выращивания кристаллов SiC может сыграть ключевую роль в формировании будущего электронных материалов и устройств.