Что такое эпитаксия SiC?

Эпитаксия карбидом кремния (SiC) является ключевой технологией в области полупроводников, особенно для разработки мощных электронных устройств. SiC представляет собой составной полупроводник с широкой запрещенной зоной, что делает его идеальным для приложений, требующих работы при высоких температурах и высоких напряжениях.

Эпитаксия SiC — это процесс выращивания тонкого слоя кристаллического материала на подложке, обычно кремнии, с использованием методов химического осаждения из газовой фазы (CVD) или молекулярно-лучевой эпитаксии (MBE). Эпитаксиальный слой имеет ту же кристаллическую структуру и ориентацию, что и подложка, что позволяет сформировать качественный интерфейс между двумя материалами.

Эпитаксия SiC широко используется при разработке силовой электроники, включая силовые устройства, такие как диоды, транзисторы и тиристоры. Эти устройства используются в широком спектре приложений, таких как электромобили, системы возобновляемых источников энергии и источники питания.

В последние годы наблюдается растущий интерес к разработке эпитаксии SiC для изготовления мощных устройств для таких приложений, как электромобили и системы возобновляемой энергии. Ожидается, что в ближайшие годы спрос на эти устройства будет быстро расти, что обусловлено потребностью в более эффективных и устойчивых энергетических системах.

В ответ на этот спрос исследователи и компании инвестируют в разработку технологии эпитаксии карбида кремния, уделяя особое внимание повышению качества и снижению стоимости процесса. Например, некоторые компании разрабатывают эпитаксию карбида кремния на подложках большего размера, чтобы снизить стоимость одной пластины, в то время как другие изучают новые методы снижения плотности дефектов.

Эпитаксия SiC также используется при разработке усовершенствованных датчиков для ряда приложений, включая определение газа, измерение температуры и измерение давления. SiC обладает уникальными свойствами, которые делают его идеальным для этих применений, например, стабильностью при высоких температурах и устойчивостью к суровым условиям окружающей среды.