TaC-покрытие

Керамика TaC имеет температуру плавления до 3880°C, высокую твердость (твердость по шкале Мооса 9-10), большую теплопроводность (22 Вт·м).^-1·К⁻¹), большая прочность на изгиб (340-400МПа) и малый коэффициент теплового расширения (6,6×10^-6К-1), и обладают превосходной термохимической стабильностью и отличными физическими свойствами, поэтому покрытия TaC широко используются в аэрокосмической тепловой защите, а графит и композиты C/C обладают хорошей химической совместимостью и механической совместимостью. ), и демонстрируют отличную термохимическую стабильность и отличные физические свойства, а графит и композиты C/C обладают хорошей химической совместимостью и механической совместимостью, поэтому покрытия TaC широко используются в аэрокосмической тепловой защите, выращивании монокристаллов, энергетике и электронике, а также в медицинских устройствах. и т. д. Графит с покрытием TaC обладает лучшей химической стойкостью, чем графит без покрытия или графит с покрытием SiC, и может стабильно использоваться при высокой температуре 2600 °. Высокая температурная стабильность 2600 °, и многие металлические элементы не реагируют, это третье поколение сценариев роста полупроводниковых монокристаллов и травления пластин с наилучшей производительностью покрытия, которое может значительно улучшить процесс контроля температуры и примесей, подготовку высоких -качественные пластины карбида кремния и соответствующие эпитаксиальные пластины. Он особенно подходит для оборудования MOCVD для выращивания монокристаллов GaN или AlN и оборудования PVT для выращивания монокристаллов SiC, при этом качество выращенных монокристаллов значительно улучшается.

По результатам исследования,Покрытие TaC может действовать как защитный и изолирующий слой, продлевая срок службы графитовых компонентов, улучшая радиальную однородность температуры, поддерживая стехиометрию сублимации SiC, подавляя миграцию примесей и снижая потребление энергии. В конечном итоге ожидается, что набор графитовых тиглей с покрытием TaC улучшит управление процессом SiC PVT и качество продукции.