Графитовые пластины с покрытием SiC

При изготовлении полупроводниковых пластин на подложке пластины необходимо вырастить эптаксиальный слой, чтобы на последующих этапах можно было изготавливать полупроводниковые устройства. В качестве незаменимого расходного компонента в процессе эпитаксиальной пластины, который непосредственно контактирует с подложкой пластины, характеристики графитовых подложек с покрытием SiC оказывают существенное влияние на однородность и чистоту роста эпитаксиального материала. По этой причине пользователям крайне важно выбрать оптимальный носитель графитовых пластин с покрытием SiC.

Использование графита высокой чистоты для изготовления основы подложек и использование однородногоCVD-покрытие SiCЧтобы придать держателю пластин «защитную броню», компания Semicorex предлагает высококачественный графитовый носитель пластин с карбид-оксидом кремния, который способен обеспечить надежную структурную поддержку подложек пластин в сложных эпитаксиальных процессах, обеспечивая тем самым стабильный и надежный рост эпитаксиальных материалов.

1. Графитовая основа премиум-класса.

А. Графитовая основа обладает превосходной теплопроводностью, что обеспечивает быстрое и равномерное распределение тепла во время эпитаксиальных процессов.

B. Обладая относительно низким коэффициентом теплового расширения, графитовая основа может обеспечитьДержатели графитовых пластин с покрытием SiCвыдерживают частые термические циклы, не деформируясь.

C. Графитовые материалы обладают превосходной механической прочностью, поэтому наши держатели графитовых пластин с карбидом кремния способны надежно удерживать подложки пластин во время длительной эпитаксии.

2. Надежное CVD-покрытие SiC.

А. Сверхвысокая чистота

Чистота покрытия CVD SiC может достигать уровня ppb, что сводит к минимуму загрязнение между носителем пластины и подложкой пластины, тем самым полностью удовлетворяя строгим требованиям чистоты полупроводниковой промышленности.

Б. Надежная защита

Покрытие CVD SiC имеет плотную структуру и способно полностью изолировать графитовую основу от высокотемпературных и высокоагрессивных сред, а также эффективно ингибировать химическую коррозию и окисление графитовой основы, обеспечивая тем самым надежную работу нашего графитового носителя с покрытием SiC в течение длительного срока службы.

C. Сильная прочность сцепления

Покрытие CVD SiC обеспечивает исключительную теплопроводность и тепловое расширение, аналогичное графитовой основе. Он обладает прочной связью с графитовой основой и менее склонен к растрескиванию или отслаиванию даже при резких изменениях температуры.