Причины использования фиктивных пластин в процессах FUR

Термическая обработка полупроводников является незаменимым процессом в передовом производстве полупроводниковых чипов, охватывающим такие важные процедуры, как окисление пластин, диффузия, осаждение тонких пленок и отжиг. Эти процессы предъявляют чрезвычайно строгие требования к равномерности температуры, газовому потоку и чистоте внутри топочной трубы. Во время производства макетные пластины широко применяются в промышленности для устранения недостатков технологической среды, точного контроля параметров процесса и обеспечения стабильной обработки и высокого выхода пластин, выпускаемых серийно.

Вафли-пустышкислужат основными вспомогательными расходными материалами, которые стабилизируют процессы производства полупроводников и широко используются для отладки оборудования, калибровки процессов, мониторинга процессов и оптимизации производительности.

Два типа шаблонов пластин для трубчатых печей

Для термической обработки МЕХАпечные трубыВ отрасли распространены два типа фиктивных пластин, отвечающих различным требованиям к компенсации процесса:

1. Боковые вафли-пустышки

Боковые заглушки обычно размещаются на переднем и заднем концах лодочки для вафель, образуя технологическую буферную зону.

2. Дополнительные вафли-пустышки

Дополнительные пустые пластины обычно используются для заполнения пустых слотов в лодочке для пластин, чтобы имитировать условия производства при полной загрузке.

Основные функции макетов пластин в трубчатых печах

1. Контроль однородности температуры

А. Компенсация теплоемкости

Печи труб для термической обработки имеют большие реакционные камеры. Если производственные пластины для термической обработки не смогут заполнить все слоты, пустые позиции возникнут из-за неравномерного распределения тепла. Размещение фиктивных пластин в этих пустых слотах может сбалансировать общую теплоемкость и стабилизировать температуру процесса.

B. Смягчение краевого эффекта

Температура имеет тенденцию колебаться на обоих концах печи. Фиктивные пластины можно использовать для смягчения тепловых возмущений по краям, обеспечивая равномерный нагрев производственных пластин, расположенных по краям лодки.

2. Равномерность поля потока технологического газа.

Свободные щели нарушат циркуляцию газа и вызовут неравномерность локальной концентрации газа внутри топочной трубы. Фиктивные пластины стабилизируют постоянный поток газа, обеспечивая одинаковые условия химических реакций на поверхности всех производственных пластин для окисления, диффузии, осаждения тонких пленок и других процессов.

3. Контроль загрязнения технологической камеры

Загрязнения (такие как частицы и ионы металлов) могут присутствовать на внутренних стенках новых или обслуживаемых печных труб. Фиктивные пластины можно использовать в качестве «жертвенной среды» для поглощения этих загрязнений и предотвращения их влияния на выход готовой пластины.

4. Управление процессом и снижение производственных затрат

Фиктивные пластины имитируют производственную среду с полной нагрузкой, обеспечивая единообразные технологические условия для всех функциональных пластин. При разработке новых процессов все экспериментальные испытания можно проводить на макетах пластин без использования ценных производственных пластин. Потери выхода и нестабильные технологические затраты, вызванные отсутствием фиктивных пластин, намного превышают затраты на закупку самих фиктивных пластин.

Заключение

Являясь недорогим, высокорентабельным и необходимым вспомогательным решением для термических процессов в трубчатых печах, фиктивные пластины обеспечивают четыре основных преимущества: компенсацию теплоемкости, стандартизированный поток газа, адсорбцию загрязнений и моделирование процесса при полной нагрузке. Они эффективно оптимизируют температуру и однородность газового потока внутри печных труб, стабилизируют параметры процесса, устраняют различные производственные дефекты и значительно улучшают стабильность, однородность и выход продукции при производстве пластин. Пустые пластины — жизненно важный инструмент стандартизированного и усовершенствованного контроля массового производства в полупроводниковой промышленности.