CVD SiC плавник

Поскольку полупроводниковые устройства продолжают развиваться в сторону меньшей геометрии и более высокого уровня интеграции, технологическое оборудование должно работать во все более сложных условиях. Плазменное травление, современное осаждение и высокотемпературные производственные условия подвергают компоненты камеры экстремальным тепловым нагрузкам, агрессивным химическим газам и бомбардировке высокоэнергетическими ионами.

Для решения этих задач компания Semicorex предлагает CVD SiC Fin — компонент из твердого карбида кремния высокой плотности, изготовленный с помощью передовой технологии химического осаждения из паровой фазы (CVD). В отличие от обычных тонкопленочных покрытий SiC, толщина которых обычно составляет всего несколько десятков или сотен микрон, CVD SiC Fin представляет собой значительно более толстую и полностью плотную структуру из карбида кремния с толщиной от 500 до 10 000 мкм.

Эта уникальная конструкция обеспечивает превосходную долговечность, более длительный срок службы и исключительную производительность в самых требовательных средах обработки полупроводников.

Что отличает плавники CVD SiC?

Для защиты многих полупроводниковых компонентов используется графит с покрытием SiC или тонкопленочные покрытия SiC. Хотя эти решения хорошо работают в умеренных технологических условиях, сильное воздействие плазмы и продолжительные рабочие циклы часто требуют более надежной системы материалов.

CVD-карбид кремния Fin изготавливается в виде толстого корпуса из карбида кремния высокой чистоты, а не простого поверхностного покрытия. Полученная структура обеспечивает:

Значительно большая толщина материала

Более высокая структурная целостность

Превосходная устойчивость к плазменной эрозии

Более длительный срок эксплуатации

Улучшенная стабильность размеров

Сниженный риск загрязнения

Сложность изготовления толстыхКомпоненты CVD-карбид кремниясущественно выше, чем у стандартных тонкопленочных продуктов, особенно при изготовлении сложных геометрических фигур и прецизионных элементов.

Плотная структура SiC высокой чистоты

Процесс осаждения CVD позволяет получить исключительно плотный и однородный материал из карбида кремния с минимальной пористостью и исключительной чистотой.

К основным характеристикам материала относятся:

• Состав SiC сверхвысокой чистоты
• Высокая плотность и низкая пористость
• Отличная химическая инертность
• Выдающаяся термическая стабильность
• Превосходная устойчивость к коррозии
• Чрезвычайно низкое образование частиц

Эти свойства имеют решающее значение для производственных сред полупроводников, где технологическое загрязнение может напрямую влиять на производительность устройства и производительность.

Исключительная производительность в плазменной среде

Современные процессы травления генерируют высокореактивные виды плазмы, способные с течением времени воздействовать на обычные материалы. Компоненты, подвергающиеся воздействию плазмы, должны выдерживать непрерывную бомбардировку, сохраняя при этом точность размеров и целостность поверхности.

CVD-карбид кремнияПлавник обеспечивает исключительную устойчивость к:

Плазмохимия на основе фтора

Среды травления на основе хлора

Ионная бомбардировка

Химическая коррозия

Термальный велоспорт

Его плотная микроструктура значительно снижает деградацию материала и помогает поддерживать стабильные условия технологического процесса в течение длительного производственного цикла.

Это делает этот материал особенно ценным в современном производстве интегральных схем, где повторяемость процесса и время безотказной работы оборудования имеют решающее значение.

Разработан для применения в условиях сверхвысоких температур.

Помимо устойчивости к плазме, CVD SiC Fin исключительно хорошо работает в экстремальных температурных условиях.

Карбид кремния известен своей способностью сохранять механическую прочность и стабильность размеров при температурах, которые бросают вызов многим обычным конструкционным материалам.

Преимущества включают в себя:

• Отличная устойчивость к термическому удару
• Низкое тепловое расширение
• Механическая стабильность при высоких температурах
• Устойчивость к термической деформации
• Долгосрочная надежность в суровых условиях

Компания Semicorex обладает техническим опытом, необходимым для производства компонентов CVD SiC в широком диапазоне геометрий, в том числе:

• плавники
• Кольца
  
• Щиты
• Компоненты фокуса
• Газораспределительные элементы
• Вкладыши камеры
• Изготовленные на заказ детали, обработанные плазмой

Применение в производстве полупроводников

Компоненты CVD SiC Fin широко используются в оборудовании для производства полупроводников, особенно в зонах, подверженных агрессивным технологическим условиям.

Типичные области применения включают в себя:

Системы плазменного травления

Камеры сухого травления

Оборудование для осаждения полупроводников

Производство передовых логических устройств

Производство устройств памяти

Обработка силовых полупроводников

Производство сложных полупроводников